با توجه به قانون مور کاهش پی در پی در ابعاد ترانزیستورها، ، باعث پایین آمدن کارایی در سطح عملکرد آی سی سیلیکون بوده است. با توجه به اثراتی مانند اثرات اتصال کوتاه کانال، اثر تونل زنی، اتلاف حرارت اضافی، مشکلات مرتبط و مشکلات غیره بوجود می آیند. بنابراین امکان کاهش اندازه بیشتر از این امکان پذیر نیست. از این رو در حال حاضر آن را به جایگزین کردن مواد و فن آوری های جدید لازم می دانیم. ترانزیستورهای کربن نانو لوله اثر میدانی CNTFETs هستند که به طور گسترده ای به عنوان جانشینان احتمالی MOSFET های سیلیکونی مورد بررسی قرار گرفتند.

نانو لوله‌های کربنیCNTs، می‌توانند به عنوان لایه‌های ورقه‌ای گرافن پیچیده شده در یک سیلندر تو خالیِ بدون درز، در نظر گرفته شوند. به دلیل نانو ساختارهای منحصر به فرد و ویژگی‌های فیزیکی عالی آنها ،CNT ها در طول دهه گذشته، به عنوان یکی از بهترین مواد کاندید و نوید بخش، برای جایگزینی با الکترونیک سیلیکونی به شمار می‌روند.CNT ها با ساختارهای هندسی متفاوت، نظیر باند انرژی در فلزات و باند انرژی در نیمه هادی ها، دارای باندهای انرژی متفاوتی هستند.CNT های نوع فلزی، می‌توانند به عنوان اتصالات در مدار استفاده شوند که مزیت آن‌ها هدایت حرارتی بالا و تلفات کم است.CNT های نوع نیمه هادی می‌توانند در داخل یک قطعه فعال نظیر یک ترانزیستور اثر میدانیFETقرار گیرند. در مقایسه با مواد سیلیکونی، به دلیل موبیلیتی بسیار بالا و انتقال نزدیک به بالستیک درCNT ها،CNTFET ها می‌توانند یک جریان رانشی بالاتر، سرعت عملکردی بیشتر و یک کاهش قابل توجهی را در توان مصرفی فراهم کنند. این خصوصیات به شدتCNTFET ها را برای کاربرد‌های مداریCMOS با عملکرد بالا مناسب می‌سازد. برای مثال، در پیشرفت های اخیری که صورت گرفته گزارش کرده‌اند که فرکانس قطعTHz می‌تواند در این نوع ترانزیستورها با فرکانس بالا و نویز پایین به دست آید

از لینک زیر قایل فشرده کتابخانه CNTFET برای Hspice را میتوانید دریافت نمایید .

http://aminsheikhnajdi.persiangig.com/program/cntfet.rar/download