Device and circuit-level performance of carbon nanotube field-effect transistor with benchmarking against a nano-MOSFET
نانو لوله‌های کربنیCNTs، می‌توانند به عنوان لایه‌های ورقه‌ای گرافن پیچیده شده در یک سیلندر تو خالیِ بدون درز، در نظر گرفته شوند.به دلیل نانو ساختارهای منحصر به فرد و ویژگی‌های فیزیکی عالی آنها ،CNT ها در طول دهه گذشته، به عنوان یکی از بهترین مواد کاندید و نوید بخش، برای جایگزینی با الکترونیک سیلیکونی به شمار می‌روند.
CNT ها با ساختارهای هندسی متفاوت، نظیر باند انرژی در فلزات و باند انرژی در نیمه هادی ها، دارای باندهای انرژی متفاوتی هستند.CNT های نوع فلزی، می‌توانند به عنوان اتصالات در مدار استفاده شوند که مزیت آنها هدایت حرارتی بالا و تلفات کم است.CNT های نوع نیمه هادی می‌توانند در داخل یک قطعه فعال نظیر یک ترانزیستور اثر میدانیFETقرار گیرند. در مقایسه با مواد سیلیکونی، به دلیل موبیلیتی بسیار بالا و انتقال نزدیک به بالستیک درCNT ها،CNTFET ها می‌توانند یک جریان رانشی بالاتر، سرعت عملکردی بیشتر و یک کاهش قابل توجهی را در توان مصرفی فراهم کنند. این خصوصیات به شدتCNTFET ها را برای کاربرد‌های مداریCMOS با عملکرد بالا مناسب می‌سازد. برای مثال، در پیشرفت های اخیری که صورت گرفته گزارش کرده‌اند که فرکانس قطع THz می‌تواند در این نوع ترانزیستورها با فرکانس بالا و نویز پایین به دست آید
از لینک زیر مقاله Device and circuit-level performance of carbon nanotube field-effect transistor with benchmarking against a nano-MOSFET و شبیه سازی Hspice و گزارش کار انرا میتوانید دریافت نمایید .
دیدگاهتان را بنویسید