FinFET

همان طور که می دانید طبق پیش بینی قانون مور میزان تراکم تعداد ترانزیستور ها در هر میلی مترمربع در هر دو سال دو برابر خواهد شد بر همین اساس شرکت اینتل اعلام کرد که توانسته رکورد جدیدی در این زمینه ثبت کرده و حتی قانون مور را نیز به نوعی با این تکنولوژی جدید دست خوش تغییر کرده است تا جایی که توانسته اند تعداد100 میلیون ترانزیستور را در هر میلی متر مکعب جای دهند وبر این اساس...

Design and realisation of Low leakage 1-bit CMOS based Full Adder Cells for Mobile Applications

برای اکثر مقیاس های ابزار های cmos (مثلا 180nm) اتلاف توان نشتی برای طراحان مدارات VLSI یک مساله مهم شده است.با مقیاس بندی شدن تکنولوژی در رژیم های نانومتری توان اتلافی نشتی ومصونیت نویز استاندارد های مهمی در مقایسه با توان اکتیو، تاخیر و مساحت می باشند.در این پروژه سلول تمام جمع کننده با نشتی پایین برای ادوات سیار طراحی شده است. در سالیان اخیر    نمونه های مختلفی از گیت های منطقی مختلف برای پیاده سازی سلول جمع کننده...

Forward Body Biased Adiabatic Logic for Peak and Average Power Reduction in 22nm CMOS

از لینک زیر مقاله Forward Body Biased Adiabatic Logic for Peak and Average Power Reduction in 22nm CMOS را همراه با شبیه سازی و ترجمه و گزارش مختصر آن را میتوانید خریداری نمایید . این مقاله مربوط به سال 2014 میباشد Abstract:Quantum mechanical principles that govern the basic laws of physics increasingly limit CMOS operation with transistor scaling. Traditional logic based CMOS circuits cannot achieve ultra-low power levels due to heat dissipated for a single bit loss of information as...

کتابخانه تکنولوژی ۰٫۳۵ ,۰٫۲۵ ,۰٫۱۳, ۰٫۵ میکرومتر برای hspice

نرم افزار HSPICE یک استاندارد طلایی صنعتی برای شبیه سازی دقیق با ارائه الگوریتم های مختلف آنالیز می باشد . HSpice کاربرد گسترده ای در سیگنال های RF ، طراحی IC و مدارهای مجتمع ، سلول های حافظه ، تراشه ها و طراحی بردهای الکترونیکی و . . . دارد . امروزه شبیه ساز HSpice یکی از محبوب ترین و قابل اعتماد ترین ابزارهای انالیز و شبیه سازی مدارات الکترونیکی بوده بطوری که در اکثر کنفرانس ها و سمینار...

کتابخانه CNTFET برای Hspice

با توجه به قانون مور کاهش پی در پی در ابعاد ترانزیستورها، ، باعث پایین آمدن کارایی در سطح عملکرد آی سی سیلیکون بوده است. با توجه به اثراتی مانند اثرات اتصال کوتاه کانال، اثر تونل زنی، اتلاف حرارت اضافی، مشکلات مرتبط و مشکلات غیره بوجود می آیند. بنابراین امکان کاهش اندازه بیشتر از این امکان پذیر نیست. از این رو در حال حاضر آن را به جایگزین کردن مواد و فن آوری های جدید لازم می دانیم. ترانزیستورهای...